Измерения температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников. Методы измерения электрофизических параметров монокристаллического кремния (обзор)

2. Вычисление температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников

Для того, чтобы произвести расчёт нужных параметров, я ввёл необходимые величины, такие как:

Заряд электрона

Масса покоя атома

Энергия ионизации донорного уровня

Массы электронов по главным осям элипсоидов

Массы дырок по главным осям элипсоидов

Число долин в зоне проводимости

Число долин в валентной зоне

Концентрация донорных атомов

Постоянная Больцмана

Ширина запрещённой зоны

Температура

Постоянная Планка

После чего последовала необходимость перевести их в систему СИ. Теперь, когда все данные перед нами, можно начинать с приближённого расчёта зависимости концентрации электронов от температуры.

2.1 Приближённый расчёт зависимости концентрации электронов от температуры

Для начала я нашла среднюю температуру и эффективную массу электронов и дырок и, которые далее необходимы для вычисления эффективной плотности состояний в валентной зоне и зоне проводимости и

3) вычисление теплоемкости cn и количества теплоты процесса q; 4) вычисление работы изменения объема l и внешней работы процесса l`. 5) вычисление изменения термодинамических функций: a) внутренней энергии, b) энтальпии, c) энтропии...

Анализ политропного процесса смеси идеальных газов

Соотношение для давлений и объемов в начальном и конечном состояниях следует из (10); соотношения для температур и давлений или температур и объемов можно получить...

Анализ режимов и выбор основных параметров системы электропередачи

Для каждого стандартного сечения линии данного типа и напряжения построим зависимости приведенных затрат от мощности З=f(Р). Это выражение представляет собой согласно параболу вида З=А+ВI2нб, где Iнб=. По }